专利名称：具有半导体鳍结构的隧穿场效应晶体管专利类型：发明专利发明人：柳青,S·M·塞利克申请号：CN201910255948.4申请日：20151225公开号：CN110085676A公开日：20190802
摘要：本发明涉及具有半导体鳍结构的隧穿场效应晶体管。在支撑衬底上由半导体材料鳍形成一种隧穿场效应晶体管。该半导体材料鳍包括源极区、漏极区和介于该源极区与该漏极区之间的沟道区。栅极电极在该沟道区处跨坐于鳍之上。在该栅极电极的每一侧上提供多个侧壁间隔物。该晶体管的源极由从该鳍的源极区生长出来并且掺杂有第一导电类型的外延含锗源极区制成。该晶体管的漏极由从该鳍的漏极区生长出来并且掺杂有第二导电类型的外延含硅漏极区制成。
申请人：意法半导体公司
地址：美国得克萨斯州
国籍：US
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：王茂华
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