专利名称：集成离子传感设备和方法专利类型：发明专利
发明人：A·伯杜克,A·奥都奈尔,T·奥德怀尔,H·伯尼申请号：CN201880032150.7申请日：20180515公开号：CN110678745A公开日：20200110
摘要：提供集成的离子敏感探针。在例子中，离子敏感探针可包括半导体基板和附接半导体基板的第一无源电极。第一无源电极可被配置为接触溶液并提供第一电压，该第一电压是溶液中离子浓度的函数。在某些例子中，无源参比电极可以并置在半导体基板上。在一些例子中，处理电子设备可以集成在半导体基板上。
申请人：亚德诺半导体无限责任公司
地址：百慕大群岛(英)哈密尔顿
国籍：BM
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：张小稳
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