专利名称：一种超高速模拟单向可控硅专利类型：实用新型专利发明人：谢鸿龄,牛林,刘祥明申请号：CN201620331145.4申请日：20160420公开号：CN205647469U公开日：20161012
摘要：本实用新型是一种超高速模拟单可控硅，它由三极管V1‑V2、电阻R1‑R4和二极管VD1‑VD5组成，电阻R1下端与三极管V2发射极相连构成模拟可控硅的阴极K；电阻R2上端与三极管V1发射极相连构成模拟可控硅的阳极A；三极管V1的基极同时接电阻R2下端和二极管VD1的阳极；二极管VD1阴极接二极管VD2阳极；三极管V1集电极同时接二极管VD4阳极和二极管VD3阳极；二极管VD2阴极与二极管VD3阴极同时接三极管V2集电极；二极管VD4阴极与二极管VD5阳极同时接电阻R1上端；二极管VD5阴极与电阻R3左端相连；电阻R3右端与电阻R4右端同时接三极管V2基极；电阻R4左端构成模拟可控硅的触发极G，作为高频脉冲信号输入端。本实用新型代替可控硅开关速度快两个数量级。
申请人：红河学院
地址：661100 云南省红河哈尼族彝族自治州蒙自市红河学院内
国籍：CN
代理机构：红河州专利事务所
代理人：朱跃平
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