（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201810864131.2 （22）申请日 2018.08.01
（71）申请人 长江存储科技有限责任公司
地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
（10）申请公布号 CN109065091A
（43）申请公布日 2018.12.21
（72）发明人 刘红涛;靳磊;黄莹;魏文喆;王启光
（74）专利代理机构 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 董琳
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
3D NAND闪存的读取方法
（57）摘要
本发明涉及一种3D NAND闪存的读取方
法，所述3D NAND闪存包括在三维空间内阵列排布的多个存储单元，构成多个存储串，每一个存储串的顶部的晶体管为上选择管，所述上选择管连接至位线，存储串底部的晶体管为下选择管，位于同一层内的多个存储单元组成存储行，位于同一存储行内的存储单元的栅极均连接至同一字线，待读取存储单元所在的存储串作为选中串，其特征在于，所述读取方法包括依次进行的预导
通阶段和读取阶段步骤，其中，在所述预导通阶段中对位线施加持续的预充电压；同时，导通选中串的上选择管和非选中串的上选择管，关断选中串的下选择管和非选中串的下选择管。
法律状态
法律状态公告日
2018-12-21 2018-12-21 2019-01-15
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
3D NAND闪存的读取方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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